观察者网5月24日：尽管当前最新的一代移动芯片仍基于10纳米工艺制程，但三星宣布早已经准备好了7纳米LPP工艺，2018年下半年就可以基于此全新工艺生产更小、更低功率的芯片。

而且在昨天的Samsung Foundry Forum论坛上，三星还直接宣布了5/4/3nm工艺技术。

其中，5nm LPE工艺相较于7nm LPP，会进一步缩小芯片核心面积，带来更低的功耗。

4nm LPE/LPP将会成为三星最后一次在芯片上使用FinFET技术，进步压缩芯片面积。

3nm GAAE/GAAP则采用了全新的GAA（Gate-All-Around，环绕栅极）纳米技术，需要重新设计晶体管底层结构，克服当前技术的物理、性能极限，增强栅极控制，性能大大提升。